目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1000-T8-HRTP快速退火爐柜式
RTP（快速退火爐）是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備，其核心特點是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時高溫工藝。
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標準工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
| 產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【柜式】 |
| 產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-T8-H |
| 腔體尺寸 | 8英寸 |
| 基片尺寸 | ≤8英寸 |
| 升溫速率 | B型為選購配置：≤200℃/S,供電要求:AC380V/50Hz/60Hz，功率 35 KW |
| 降溫速率 | 10°C－50°C /s |
| 控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 工作溫度 | ≤1000℃ |
| 測溫位置 | 測溫點置于樣品處 |
| 密封法蘭 | 水冷式 |
| 工作真空 | 6.7×10-5Pa～105Pa均可 |
| 可通氣氛 | 可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計價。 |
| 氣體質(zhì)量流量計CY-S48 | |
| 真空測量 | 標準配置：復(fù)合真空計，量程10-5Pa～105Pa |
| 真空系統(tǒng) | 標準配置：VRD4+600L/S分子泵組。 |
| 真空泵CY-4C | |
| 供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓380V/50Hz/60Hz |
| 水冷機組 | 水箱容量40L，zui大揚程44m |
| 整機尺寸 | 620mm*650mm*870mm |
| 包裝尺寸 | 780mm*950mm*1000mm |
| 包裝重量 | 230KG |
| 隨機配件 | 1、說明書1本 |
| 2、隨機配件1套 | |
| 3、配件清單1份 |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
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