目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1000-Φ300-T1200℃RTP退火爐
1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。
技術(shù)特色：
? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
| 產(chǎn)品名稱 | 1200℃RTP退火爐 |
| 產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-Φ300-T |
| 基片尺寸 | 12英寸 |
| 基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
| 溫度范圍 | 150-1200℃ |
| 加熱速率 | 10-150℃/S |
| 溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
| 溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
| 溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
| 真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
| 氣路供應(yīng) | 標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
| 退火持續(xù)時間 | ≥10min@1200℃ |
| 溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
| 尺 寸 | 890mm*950mm*1400mm |
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