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LJA30-2015DK位置控制開關技術參數(shù)

時間:2023-2-28閱讀:672

LJA30-2015DK位置控制開關技術參數(shù)

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開關

1、渦流式接近開關

這種開關有時也叫電感式接近開關。它是利用導電物體在接近這個能產(chǎn)生電磁場接近開關時,使物體內部產(chǎn)生渦流。這個渦流反作用到接近開關,使開關內部電路參數(shù)發(fā)生變化,由此識別出有無導電物體移近,進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是導電體。

2、電容式接近開關

這種開關的測量通常是構成電容器的一個板,而另一個板是開關的外殼。這個外殼在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開關時,不論它是否為導體,由于它的接近,總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化,從而使電容量發(fā)生變化,使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化,由此便可控制開關的接通或斷開。這種接近開關檢測的對象,不限于導體,可以絕緣的液體或粉狀物等。

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開關

技術參數(shù)

1、本體材質:A.B.S

2、填充物:Epoxy

3、功率:10W

4、開關電壓:100 VDC

5、開關電流:0.5

6、崩潰電壓:

7、負載電流:1.0A

8、接蝕電阻:100 mΩ

9、絕緣電阻:108Ω

10、釋放時間:0.1 ms Max

11、感應時間:0.4 ms Max

3、霍爾接近開關

霍爾元件是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開關,叫做霍爾開關。當磁性物件移近霍爾開關時,開關檢測面上的霍爾元件因產(chǎn)生霍爾效應而使開關內部電路狀態(tài)發(fā)生變化,由此識別附近有磁性物體存在,進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。

4、光電式接近開關



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