用途：

　　適用于工礦企業、科研單位、大專院校實驗室等。在各種氣氛下作化學分析、物理測定、已廣泛應用于粉末冶金、陶瓷金屬化、熒光粉、電池材料、電子陶瓷、化工原料、納米材料等產品的研究及小批量生產。

1、1300℃、1400℃是硅碳棒加熱，設置在兩側或者三側（根據爐膛大小），1600℃、1700℃是硅鉬棒設置在爐膛內的兩側，特殊的絕熱設計，爐膛可以更換。

2、控制方式：可控硅控制， PID參數自整定功能，手動/自動無干擾切換功能，超溫報警功能，具有溫度補償和溫度校正功能， 30段可編程控制（1600℃、1700℃50段可編程控制）。

3、顯示精度：±1℃,，沖溫直小于±3℃，升溫速度,10-30℃/分鐘自由設定

4、控溫儀表具有密碼功能，設定參數密碼控制。多安全防護設計，安全性能好，使用壽命長。

5、普通真空爐真空度為-0.098MPa，可選擇高真空配置，高真空爐體結構，高真空機組，真空度6.67*10-1Pa.

6、氣路系統配有流量計、減壓閥、截止閥，設備采用爐殼整體密封，爐口用硅橡膠密封并加水冷。 

7、外形設計，滿門結構，美觀大方。