NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 那諾中國有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/4/28 7:46:54
- 訪問次數(shù) 2824
產(chǎn)品標(biāo)簽
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥 |
|---|
IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
- 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
- 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
- 離子束中和器
- 氬氣MFC
- 6”水冷樣品臺
- 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
- 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
- 手動上下載晶圓片
- 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
- 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
- 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
- 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
- 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
- 基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制
- 菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護(hù)
- 完整的安全聯(lián)鎖
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