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BW-HAST-H4 半導(dǎo)體高加速溫濕度應(yīng)力試驗系統(tǒng)

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陜西博微電通科技有限責(zé)任公司是一家致力于高精度半導(dǎo)體測試設(shè)備、電力電子設(shè)備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū),地理位置環(huán)境*,依托西安眾多高校及研究所,公司擁有一批高素質(zhì)人才隊伍,從軟件開發(fā)、硬件設(shè)計、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級迭代及售后服務(wù)均由專業(yè)技術(shù)人員完成,多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導(dǎo)體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品,經(jīng)過技術(shù)迭代,產(chǎn)品功能全面,產(chǎn)品質(zhì)量可靠,市場口碑優(yōu)秀。

   公司注重產(chǎn)品質(zhì)量注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品體驗每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴格的檢驗或第三方機構(gòu)監(jiān)測,并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠為每一位客戶提供可靠的、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)幫助解決客戶實際使用痛點,開發(fā)難點,節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率,助力行業(yè)發(fā)展。

半導(dǎo)體測試系統(tǒng):(Semiconductor test system)

針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導(dǎo)體測試產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學(xué)、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研及院所、實驗室的數(shù)據(jù)驗證分析和研發(fā)指導(dǎo)等。

半導(dǎo)體測試設(shè)備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態(tài)參數(shù)測試(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))測試精度可達16位ADC;動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導(dǎo)體器件測試設(shè)備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數(shù)測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲能:(Battery safety management and energy storage system)

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應(yīng)用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案,主要產(chǎn)品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數(shù)據(jù)平臺等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于儲能,云計算,數(shù)據(jù)中心,通信網(wǎng)絡(luò),軌道交通,以及商業(yè)和工業(yè)設(shè)施關(guān)鍵電源領(lǐng)域,將成為國家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

 

 

半導(dǎo)體測試設(shè)備,功率器件可靠性測試,熱特性安全測試,儲能及電力能源安全管理系統(tǒng)

價格區(qū)間 80萬-100萬 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣,綜合

高加速溫濕度應(yīng)力試驗系統(tǒng)BW-HAST-H4

適用于 SI/SIC/GaN 芯片的各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、橋堆等 半導(dǎo)體器件進行 HAST 試驗。

技術(shù)特點 Technical characteristics

■實時監(jiān)測每個器件的反偏電壓、漏電流;

■電壓可達6000V;;

■對于模塊上下橋可同時加電同時監(jiān)測漏電;

■整個試驗過程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲。并輸出為Excel  報表和繪制全過程漏電流IR 

■設(shè)定漏電上限可快速切斷該回路電壓;

■可根據(jù)用戶的需求,定制各種老化板及測試程序。


適用于 SI/SIC/GaN 芯片的各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、橋堆等半導(dǎo)體器件進行 HAST 試驗。符合JESD22-A101、AEC-Q101   等試驗標準要求。




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