晶圓是生產集成電路的載體和的材料，從沙子到晶圓再到芯片，需經歷復雜的工藝流程。晶圓(wafer)是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，即厚度在1mm以下的硅薄片。目前集成電路領域用的最多的晶圓材料是單晶硅片。

晶圓尺寸：8英寸、12英寸的晶圓直徑分別是200mm和300mm,晶圓可以制造的芯片數量與晶圓的尺寸和芯片的制程有關。制程是芯片上導線之間的距離，3nm制程即導線之間只有3nm，制程越小單位面積上可集成的導線就越多，功能就越強大。晶圓的材料、尺寸以及與芯片的關系共同決定了芯片性能、成本和產量。隨著半導體技術的進步，晶圓尺寸不斷增大，制程工藝不斷縮小，使得集成度更高、性能更好的芯片得以制造。

晶圓制作流程：沙子提純——多晶硅直拉法——單晶硅棒切割——晶圓光刻——芯片

COT(coater unit):  運用離心機原理，將光刻膠均勻涂布在晶圓表面的單元。

DEV(deveioper unit):主要是在曝光后，離心運動將顯影液均勻涂布到晶圓表面，使顯影液把需要的部分和不需要的部分區分開，去掉一部分感光劑（PR）后的圖像。

AD(adhesion unit):涂感光劑PR之前，增加膠膜和晶片之間的粘貼性能。

勻膠顯影機顯影工藝步驟：CS——CA——DEV——HP——CP——CS

勻膠顯影機勻膠工藝步驟：CS——CA——AD——COT——HP——CP——CS

全自動！高效率！勻膠顯影機產品特點:

勻膠顯影機中顯影工藝是指用還原劑把軟片或印版上經過曝光形成的潛影顯現出來的過程。PS版的顯影則是在印版圖文顯現出來的同時，獲得滿足印刷要求的印刷版面和版面性能。顯影機是將曬制好的印版通過半自動和全自動的程序將顯影、沖洗、涂膠、烘干等工序一次性部分或全部完成的印刷處理設備。

產品介紹

Wafer size:2"-12";

涂膠（Coater）、顯影（Developer）、OVEN(HP+CP+HMDS);

設備實現全自動化生產；

模塊自帶暫停恢復功能；

伺服馬達配合運行速度更快精度更高，穩定性更好，噪音更低；速度可根據工藝要求實現多段速設置；

同片盒站每個晶圓（Wafer）可分別制定不同的工藝運行；

設備和各工位全封閉設計，不受外界環境干擾；

可獨立增加層流罩（FFU）,提升小環境潔凈度；

干濕分離，溫濕度控制系統選配（THC）;

有準用的膠瓶放置箱和廢氣回收裝置，防止膠液溢出及廢氣對現場環境影響；

涂膠機膠口采用日本進口注膠頭，膠量有保證；

維護省力，方便。

適用于2至6英寸晶圓的勻膠顯影工藝

設備配置:勻膠(顯影)、熱(冷)板單元可根據用戶定制

6寸以下wafer全自動勻膠/顯影,烘烤全自動工藝處理

整機適合產能要求較高的批量產線

根據客戶工藝需求可加裝溫濕度控制、離子風棒等模塊

可選配MES協議轉換模塊

產品參數

旋轉速度范圍:20-5000rpm

加速度范圍:20-20000rpm/s

轉速精度:±1rpm

熱盤溫度范圍:50℃-200℃

熱盤溫度均勻性:±1%

冷盤溫度范圍:20°℃-25°℃

冷盤溫度均勻性:±0.2℃

光刻膠粘度:0-1000Cp(可選高粘度光膠機臺)

膠泵類型:氣動或電動膠泵

光刻膠或顯影液管路:≤3路

流量監控:超聲流量計

設備尺寸:2140mm(W)x1780mm(D)x2200mm(H)