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SOPHI-30 ULVAC離子注入機

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上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發鍍膜機,熱蒸發鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統,等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統; - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業大學, 南京醫科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業協同創新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

產品概述:

      離子注入設備,又稱為離子注入機,是半導體制造中的關鍵設備之一。它通過將可控數量的離子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半導體材料(如硅片)的特定區域,以改變其電學性能,實現摻雜的目的。離子注入技術具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力,是現代集成電路制造中的一環。

離子注入設備主要由離子源、離子引出和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔等部分組成。離子源負責產生所需的離子,經過質量分析器篩選后,由加速管加速至幾百千電子伏特的能量,最后通過掃描系統均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環境,確保離子注入過程的順利進行。

設備用途:

離子注入設備在半導體制造領域具有廣泛的用途,主要包括以下幾個方面:

  1. 集成電路制造:在制造集成電路的過程中,離子注入技術用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關鍵區域,以及實現電路的隔離和互聯。

  2. 金屬材料表面改性:通過離子注入技術,可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層,如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

  3. 薄膜制備:離子注入技術還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料,如超導薄膜、光學薄膜等。

設備特點

離子注入設備具有以下幾個顯著特點:

  1. 精確控制:離子注入技術可以精確控制摻雜離子的種類、數量、深度和橫向分布,滿足集成電路制造中對摻雜精度要求。

  2. 低溫處理:與傳統的熱擴散工藝相比,離子注入技術可以在較低的溫度下進行,避免了高溫處理對半導體材料性能的影響。

  3. 廣泛應用:離子注入技術不僅應用于半導體制造領域,還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領域。


技術參數和特點:

 •基板尺寸:Max200mm枚葉式

可對應薄片Wafer

非質量分離機的對比優點

1)對應低加速.高濃度的好產能離子注入設備

2)相比過去約一半的低價

3)相比過往設備占用面積為1/3的緊湊型設計


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