單片濕法去膠機是半導體制造工藝中的關鍵設備，主要用于高效、精準地去除晶圓表面的光刻膠及其他有機污染物。該設備采用單片獨立處理模式，將每一片晶圓固定在旋轉平臺上，通過精密設計的噴淋系統均勻噴灑特定化學溶劑（如TMAH顯影液或專用去膠劑），結合超聲波/兆聲波的物理震蕩作用，快速分解并剝離附著在晶圓上的光刻膠層。

其核心優勢在于“濕法+單片”的組合設計：一方面，液體化學試劑能夠充分浸潤復雜微納結構，確保溝槽、通孔等區域的清潔；另一方面，單片處理避免了批量清洗可能導致的晶圓間碰撞損傷和交叉污染風險。設備通常配備多級溫度控制系統，可調節反應環境至活化能區間，加速化學反應效率；同時集成純水沖洗模塊與氮氣吹掃裝置，實現清洗后無殘留、干燥潔凈的表面狀態。

在技術參數上，現代單片濕法去膠機支持從6英寸到12英寸甚至更大尺寸的晶圓加工，兼容不同材質基板（硅片、化合物半導體等）。智能化控制系統允許工程師靈活設置清洗時間、轉速、溶液流量等參數，并實時監控工藝穩定性。部分機型還搭載在線檢測功能，通過光學傳感器實時反饋清洗效果數據，確保批次間一致性。

該設備廣泛應用于邏輯芯片制造中的光刻后去膠、封裝中的凸點下金屬化處理，以及3D NAND閃存堆疊前的介質層準備等關鍵工序。相比傳統干法刻蝕工藝，濕法去膠對材料損耗更低，且能更好地保護脆弱的低介電常數介質層。隨著半導體制程向納米級演進，單片濕法去膠機的精度和可控性持續提升，已成為保障芯片良率與性能的重要環節。