化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>熱工藝設(shè)備/熱處理設(shè)備>退火爐>CY-RTP1000-Φ200-300-V-T 鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐
CY-RTP1000-Φ200-300-V-T 鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 CYKY
- 型號(hào) CY-RTP1000-Φ200-300-V-T
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/7/30 16:30:07
- 訪問次數(shù) 71
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磁控濺射鍍膜儀,熱蒸發(fā)鍍膜儀,勻膠機(jī)旋涂儀,熔煉爐,涂布機(jī),放電等離子燒結(jié)爐,靜電紡絲機(jī),金剛石線切割機(jī),RTP退火爐,晶體生長爐,管式爐,CVD氣相沉積,氣氛爐,馬弗爐,熱解噴涂,等離子清洗機(jī),
鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 鹵素?zé)?/span>RTP立式快速退火爐 產(chǎn)品型號(hào) CY-RTP1000-Φ200-300-V-T 基片尺寸 8英寸 基片基座 石英針(可選配SiC涂層石墨基座) 溫度范圍 150-1250℃ 加熱速率 10-150℃/S 溫度均勻性 ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) 溫度控制精度 ≤ ±3℃ 溫度重復(fù)性 ≤ ±3℃ 真空度 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr 氣路供應(yīng) 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路) 退火持續(xù)時(shí)間 ≥35min@1250℃ 溫度控制 快速數(shù)字PID控制 尺寸 900mm*650mm*1600mm