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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>其它半導體行業儀器設備>少子壽命測試儀>ZH8204 數字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)

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ZH8204 數字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)

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空氣臭氧發生器;擴散氫測定儀;瓦斯蒸氣粉塵和懸浮物;汽車尾氣分析儀;煙道氣綜合分析儀;石油產品采樣器;食品檢測儀;固定式可燃氣體探測器;手持式辛烷值儀;快速水份測定儀;二氧化氯發生器;身高體重測量儀

數字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)
型號:ZH8204
 
:
100C型200型的的zui大區別只是紅外激光管的功率大了一倍,加了個紅外地光照破除陷進效應
τ:1~6000μs   ρ>0.1Ω·cm太陽能硅片壽命,配已知壽命樣片、配數字示波器,
本設備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟的測試方法,適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,因此制樣簡便。
產品特點:
可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面拋光,直接對切割面或研磨面進行測量,儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。
可測量太陽能單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面拋光、鈍化。
液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時在線顯示光電導衰退波形。
配置的紅外光源:0.904~0.905μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能硅晶體少數載流子體壽命,脈沖功率30W。
為消除陷進效應增加了紅外低光照。
測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
 a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
 b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。
范    圍:0.5μs~6000μs
電 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)
測試速度:1分鐘/片
紅外光源波長: 0.904~0.905μm
高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ
前置放大器,放大倍數約25,頻寬2HZ-2MHZ
可測單晶尺寸:斷面豎測:
直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm
縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-200mm
測量方式:采用數字示波器直接讀數方式
測試分辨率:數字存儲示波器zui小分辨率0.01μs
設備重量:20 Kg
儀器電源:電源電壓類型:單相210~230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩壓,不能與未做保護措施的大功率、高頻設備共用電源。

 



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