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詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料

詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料

詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料。

詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料

詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料。

詳細摘要： 碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b ...

詳細摘要： 二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.395 nm, ...

詳細摘要： 二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學特性：金屬晶體結構：單斜晶系晶胞參數：a = 0.621 ...

詳細摘要： 二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米電學性能：金屬，半導體（TC ~ 0.7k）晶體結構：單斜晶系，C晶胞參數：a＝...

詳細摘要： 二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.377 nm...

詳細摘要： 二碲化鎢晶體 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶體尺寸：10毫米電學性能：半金屬，type II Weyl semimetal （WSM）...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料晶體結構：單斜晶結構晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K）晶體結構：單斜晶晶胞參數：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C =...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電性晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°...

詳細摘要： 晶體尺寸：8毫米電學性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~ 63K），超導體（TC ~ 2K）晶體結構：單斜磷晶胞參數：a = 0.5864nm，B = 0.39...

詳細摘要： 二碲化鉬晶體 2H-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學性能：N型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = ...

詳細摘要： 二碲化鈀晶體 PdTe2 （Palladium Ditelluride）晶體尺寸：2-3毫米電學性能：金屬，半導體（Tc ~ 1.7K）晶體結構：六邊形晶胞參數...

詳細摘要： 二碲化鉑晶體 PtTe2（Platina Ditelluride）晶體尺寸：2~3毫米電學性能：金屬，順磁性晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.400...

詳細摘要： 化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%） Fe3GeTe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

詳細摘要： Bismuth Telluride （Bi?Te?） Developed at our facilities since early 2013 to optim...