晶圓晶錠壽命測定儀是為晶圓晶錠測量少子壽命、光電導率、電阻率和樣品平整度及p/n檢查任務設計的晶圓晶錠少子壽命測試儀器。采用非接觸式檢測和無損成像（μPCD /MDP(QSS)）設計。
晶圓晶錠壽命測定儀應用單晶晶圓壽命，多晶晶圓壽命和晶錠壽命測量
適合硅,化合物半導體,氧化物,寬禁帶,鈣鈦礦材料
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]
晶圓晶錠壽命測定儀規格參數最佳產量：>240塊/天或>720片/天
測量速度：對于156x156x400mm標準晶錠，<4分鐘
良品率提升：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠
質量控制：用于過程和材料的質量監控，如單晶硅或多晶硅
沾污檢測：起源于坩堝和生產設備的金屬(Fe)
可靠性：模塊化和堅固耐用的工業儀器，更高可靠性，運行時間> 99%
可重復性:> 99.5%
電阻率：可做面掃描，不需經常校準
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