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少子壽命測定儀 型號:ZH8202

2013-11-13  閱讀(269)

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少子壽命測定儀 型號:ZH8202  
:
τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配數字示波器;用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質的重要檢測項目。
設備組成
1.光脈沖發生裝置:
重復頻率>25次/s
脈    寬>60μs
光脈沖關斷時間<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)
脈沖電流:~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.高頻源:
頻    率:30MHz低輸出阻抗
輸出功率>1W
放大器和檢波器:
頻率響應:2Hz~2MHz
3.配用示波器:
配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
測量范圍:
可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)

 

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