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GAIA3掃描電鏡是一款可以挑戰納米設計應用的理想平臺，它同時具備高精度及微量分析能力。GAIA3 適用于高質量超薄 TEM 樣品制備、在技術節點減少流程、精確的納米構圖或高分辨率的三維重構。這些特征使得 GAIA3 成為低能電子束成像應用的理想工具，保留易受電子束損壞的樣品的精細結構，如低介電常數材料、光阻材料及未涂覆生物樣品。在樣品改性方面，GAIA3 也代表了挑戰納米加工的適合解決方案。

GAIA3掃描電鏡

突出特點

Triglav™ - 新型超高分辨率 ( UHR ) 電子光學鏡筒

• TriLens™ 物鏡系統：*的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結合
• 具有多個 SE 及 BSE 探測器的*探測系統
  • TriSE™ + TriBE™
• Triglav™ - 低加速電壓下的超高分辨率: 1 nm (1 kV ),0.7 nm (15 kV )
• EquiPower™ 進一步提高電子束的穩定性
• 電子束流高達 400 nA，并能實現電子束能量的快速改變
• 優化的鏡筒幾何設計大可容納8”晶圓

Cobra FIB 鏡筒

高性能鎵離子 FIB 鏡筒，實現超高精度納米建模

• 探針電流：1 pA ~ 50 nA
• 分辨率：< 2.5 nm @ 30 kV （在 SEM 電子束與 FIB 離子束的重（疊）合點)
• 在刻蝕和成像方面擁有水平的技術
• Cobra 可保證在短時間內完成橫斷面處理及 TEM 樣品制備
• 適合生物樣品的 3D 超微結構研究，如組織、完整的細胞等
• 低電壓下的性能，適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層