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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的專用儀器。
詳細(xì)介紹
| 測(cè)量范圍 | 電阻率：10-4～105 Ω.cm（可擴(kuò)展）； 方塊電阻：10-3～106 Ω/□（可擴(kuò)展）； 電導(dǎo)率：10-5～104 s/cm； 電阻：10-4～105 Ω； |
| 可測(cè)晶片直徑 | 140mmX150mm（配S-2A型測(cè)試臺(tái)）； 200mmX200mm（配S-2B型測(cè)試臺(tái)）； 400mmX500mm（配S-2C型測(cè)試臺(tái)）； |
| 恒流源 | 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
| 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示； |
| 四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）； |
| 四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | （見(jiàn)探頭附帶的合格證） |
| 模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 （ 按JJG508-87進(jìn)行） | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
| 整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差 | （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5% |
| 整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤5% |
| 計(jì)算機(jī)通訊接口 | 并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。連接電腦使用時(shí)帶自動(dòng)測(cè)量功 能，自動(dòng)選擇適合樣品測(cè)試電流量程； |
| 標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； 相對(duì)濕度：≤65%； 無(wú)高頻干擾； 無(wú)強(qiáng)光直射； |