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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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更新時(shí)間:2025-07-21 21:00:08

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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。

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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD)是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應(yīng),還可以提高整個(gè)基板的均勻性。除此之外,該過程取決於溫度控制,過程溫度越高,維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比,LPCVD的優(yōu)勢(shì)在於:每批製程可裝載更多的晶圓(每批100-200個(gè)晶圓)、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善(<±3%),並且降低生產(chǎn)成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺(tái)溫度),並提供高品質(zhì)的薄膜。

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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 碳納米管和石墨烯的製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜

    製程。

  • 熱退火。

  • 擴(kuò)散製程。

  • 氧化製程。

  • 加熱爐配置:水平或垂直,結(jié)合

    傳送機(jī)構(gòu)。



配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達(dá)8寸

    晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5%。

  • 精準(zhǔn)流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將載盤加熱至1700°C。

  • 可以與傳送腔(單載臺(tái)或多載臺(tái))整

    合在一起。





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