二硒化鎢(WSe2)半導體材料具有六方的晶體結構，層與層之間通過范德華力作用堆積在一起，單層WSe2和雙層 WSe2的 VBM位置都位于布里源區的K點，而CBM位置卻有所不同，單層 WSe2的 CBM位于K點，但雙層WSe2的CBM位于K和Ⅰ中間的點。單層 WSe2的熒光發光峰位置大概在1.65eV。

二硒化鎢,由二維Se-W-Se 的層狀結構構成，層內通過共價鍵結合﹐而層間通過范德瓦爾斯結合。硒化鎢薄膜的電子和聲子性質具有層數效應:二維納米硒化鎢薄膜厚度減小到單層時﹐能帶結構會從間接帶隙過渡到直接帶隙;聲子譜將隨著層數的減少而發生紅移或藍移現象。由于拉曼散射實驗(拉曼散射實驗:不破壞樣品﹐無損檢測且結合計算機技術可達到實時實地的表征)能夠表征薄膜的層數與電子和聲子間的關系，因此常選擇拉曼散射實驗對二硒化鎢的層數效應進行表征。

中文名稱：氨基修飾二硒化鎢

英文名稱：NH2-WSe2

外觀：固體/液體

規格：mg

儲存條件：-20℃

濃度：95%+

溶解條件：有機溶劑/水

用途：用于科研，不能用于人體

中文名稱：羧基修飾二硒化鎢

英文名稱：COOH-WSe2

外觀：固體/液體

規格：mg

儲存條件：-20℃

濃度：95%+

溶解條件：有機溶劑/水

用途：用于科研，不能用于人體

二硒化鈷修飾鎢酸鈷

硒化銀修飾二硒化鈷

二氧化鈦負載二硒化鎢

MoSe2-hBN二硒化鉬修飾氫化硼薄膜

SnSe2-hBN二硒化錫修飾氮化硼薄膜

二硒化鎳修飾Ti3C2Tx(MXene)立方體復合材料

瑞禧WFF.2022.7