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一、設備用途及工藝條件簡述

1.1、設備用途：粉體材料在氧化性氣氛中的連續性燒成。

1.2、裝料方式：將物料裝于匣缽中，再將匣缽置于碳化硅移進板上，由輥棒傳動碳化硅移進板在窯內移動，坩堝雙排三層放置。

二、主要技術參數及要求

2.1、 額定溫度：                             1200oC。

2.2、 常用溫度：                             1100oC。

2.3、 額定功率：                       200 KW

2.4、 保溫功率：                       120 KW

2.5、 供電電源：                       380V

2.6、 加熱區數：                       19區

2.7、 控溫點數：                       19點

2.8、 加熱方式：                       上下加熱

2.9、 加熱元件：                       高溫電阻絲

2.10、控溫精度：                       ≤±1o

2.11、截面溫差（恒溫段）：              ≤±8oC

2.12  爐膛尺寸（L×W×H）：　　 　　  　42000×1100×320mm

2.13、工作區尺寸（L×W×H）：      　   42000×1000×260mm

2.14、移進板尺寸（L×W×H）：　 　      500×500×12mm(需方自備)

2.15、坩堝  尺寸（L×W×H）：           φ230×260mm（需方自備）

2.16、窯體外形尺寸約（L×W×H）：　   　45000×3600×1650mm

2.17、傳送速度：　　　　　　　　　 　  1500—3500 mm/h