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穿透式電子顯微鏡簡介:1930年*臺商用電子顯微鏡于英國建立

閱讀:1802        發布時間:2012-5-21

穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy:TEM)

A.TEM簡介
自1930年代*臺商用電子顯微鏡于英國建立以來,由于影像解析度受限于所供輸電子能量,隨著高壓設備之成熟技術發展與建立,穿透式電子顯微鏡不斷地進步與突破。1938年,穿透式電子顯微鏡,解析度約20~30埃,到1963年,解析度提升至2~3埃;到目前為止,一百萬電子伏特(eV)以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問世(HRTEM)。
因此原子級的影像解析度早已不再是遙不可及之夢想。 對于近十年來迅速發展的半導體制程,以及奈米尺度的*材料,材料的研究已進入原子尺度大小,為了觀察如此微小的尺度,新的研究工具也陸續出現。在這些新的研究工具當中,穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy;TEM )可提供材料內部的形態、晶體原子結構…由于TEM具備高解像能力,比一般影像觀察及分析工具*許多,而廣泛地用于材料分析。表一為比較常用顯微鏡的解析度與放大倍率。


附注:解析度與波長的關系式
Raleigh‘s Criterion:解析度 S=0.61l/(n×sinq)=0.61l/NA

 

 

http://www.mcstair.com/st232510/Index.html
 
出自金相顯微鏡百科:http://www.xianweijing.org 

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