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上海納優(yōu)儀器儀表有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第14年

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GEM P型同軸高純鍺(HPGe)輻射探測(cè)器

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更新時(shí)間:2025-07-25 15:46:07瀏覽次數(shù):58次

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ORTECGEM輻射探測(cè)器是一款P型同軸HPGe探測(cè)器,適用于~40keV及以上典型能量范圍的能譜測(cè)量
HPGe Radiation Detector Energy Range - GEM Radiation Detector
ORTEC GEM輻射探測(cè)器是一款P型同軸HPGe探測(cè)器,適用于~40 keV及以上典型能量范圍的γ能譜測(cè)量。

GEM系列探測(cè)器特征:
  • 效率達(dá)150%,還可應(yīng)要求提高。
  • 出色的能量分辨率和峰值對(duì)稱(chēng)性。
  • SMART偏壓選件。
  • 惡劣環(huán)境(-HE)選件。
  • 低本底碳纖維端蓋選件。
  • 外加前置放大器選件適用于超高計(jì)數(shù)率應(yīng)用。
  • 廣泛的配置靈活性,PopTop、Streamline和機(jī)械冷卻選項(xiàng)。
  • 資料 +

    • Download link GEM配置指南
    • Download link GEM配置指南(A4)
    • Download link 半導(dǎo)體探測(cè)器概述
    • Download link 半導(dǎo)體探測(cè)器的物理學(xué)綜述
  • 可選附件 +


    集成低溫冷卻系統(tǒng)選件(-ICS、-ICS-E)
    集成低溫冷卻系統(tǒng)(ICS)低溫恒溫器配備有低溫冷卻器,不受回溫循環(huán)的影響。與使用標(biāo)準(zhǔn)型低溫恒溫器探測(cè)器的典型三天損失不同,ICS可以立即重新冷卻,限度地減少因臨時(shí)回溫而損失的任何時(shí)間。ICS可配備內(nèi)部前置放大器(-ICS)或外部前置放大器(-ICS-E)。

    集成低溫冷卻低本底系統(tǒng)(-ICS-LB)
    低本底探測(cè)器配有內(nèi)置前置放大器、高純鋁端蓋、高純鋁窗、高純鋁內(nèi)杯,以及用于ICS集成低溫冷卻系統(tǒng)的低本底銅安裝座。較低本底的材料可在特定計(jì)數(shù)時(shí)間內(nèi)降低最小可探測(cè)活度(MDA),這為在低本底應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。

    SMART-1選件 (-SMP)
    SMART-1選件用于監(jiān)控和報(bào)告重要的系統(tǒng)功能,還可保存碼并在稍后報(bào)告該碼。它包括高壓,因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅(jiān)固的ABS模塑塑料外殼,并通過(guò)模塑應(yīng)變消除密封電纜牢牢地固定在探測(cè)器端蓋上。這可避免探測(cè)器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴(yán)重?fù)p壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不會(huì)干擾屏蔽體或其他硬件安裝。

    超高計(jì)數(shù)率前置放大器選件(-PL)
    超高計(jì)數(shù)率前置放大器(晶體管復(fù)位前置放大器)可在1 MeV下處理高達(dá)1,000,000個(gè)計(jì)數(shù)/秒的輸入計(jì)數(shù)率,并具有無(wú)反饋電阻的額外優(yōu)勢(shì)。

    惡劣環(huán)境選件(-HE)
    惡劣環(huán)境選件是一個(gè)堅(jiān)固的碳纖維端蓋,配有密封的電子設(shè)備外殼,并帶有可更換的干燥劑包,用以確保電子設(shè)備保持100%干燥并指示何時(shí)需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設(shè)計(jì)中的GEM系列探測(cè)器可配備此選件。

    遠(yuǎn)端前置放大器選件(-HJ)
    此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外,并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線(xiàn)”移除。對(duì)于低本底應(yīng)用,此選件消除了可能增加本底的前置放大器或高壓濾波器組件。

    低本底碳纖維端蓋選件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅(jiān)固,產(chǎn)生的本底少,不被腐蝕,并且可以檢測(cè)低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計(jì)數(shù)時(shí)間內(nèi)降低最小可探測(cè)活度(MDA),這為在低本底計(jì)數(shù)應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的較低Z可提供低能量窗口,而不會(huì)產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。

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    請(qǐng)參閱GEM P型同軸HPGe輻射探測(cè)器配置指南以配置探測(cè)器。

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