測試中小功率半導體三管開關參數，功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。
Td延遲時間
tr被測晶體管上升時間
ton晶體管開啟時間
ts存貯時間
tf被測晶體管下降時間
toff晶體管下降時間
主要參數
測量范圍：由5nS至500 nS
測量條件
Ib1=Ib2=1mA,  Ic=10 mA
 2) Ib1=Ib2=3mA，Ic=300 mA
 3) Ib1=Ib2=10mA，Ic=100 mA
 4) Ib1=Ib2=30mA，Ic=300 mA
 5) Ib1=Ib2=50mA，Ic=500 mA
脈沖寬度：0.7-2.5uS
±脈沖：≤2nS
±脈沖幅度：±10V±0.5V
指標
脈沖信號源：頻率20K
取樣示波器：帶寬: 1000MHz
掃   速：20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
CRT顯示輸入/輸出波形 計算機顯示測量參數及測量結果。