雙靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作的優點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備。

　　雙靶磁控濺射儀原理

　　磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下zui終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

　　雙靶磁控濺射儀特點:

　　1、附著力要求：薄膜與玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗，薄膜沒有被破壞。

　　2、樣品具有反濺射功能，可對樣品進行鍍前預清洗。

　　3、設備配有陽極層離子源，可對樣品進行清洗，同時，可在鍍膜時，對樣品進行輔助沉積。

　　4、工藝氣體：工作氣路2路：獨立質量流量控制器2路，用于反應氣體進氣和氬氣氣路，采用MKS質量流量計；具有混氣功能；腔內氣壓可測可調可控。

　　5、濺射室烘烤照明：采用紅外加熱除氣方式，烘烤溫度：150℃。

　　6、真空室內有襯板，避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上。（在后面表格體現）

7、設備具有斷水斷電連鎖保護功能，有防止誤操作保護功能。系統采用手動控制膜制備過程可控制靶擋板、樣品轉動、樣品控溫等。