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可控硅檢測儀

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所  在  地上海市

更新時間:2024-07-14 19:21:37瀏覽次數:5911次

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可控硅測試儀(又名:全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀),可以較準確的測量大小功率可控硅(晶閘管)和模塊的觸發電流IGT、觸發電壓VGT、斷態不重復峰值電壓VDSM、反向不重復峰值電壓VRSM等可控硅主要參數,儀器操作簡單、使用方便、讀數直觀、性能*

一、可控硅檢測儀產品介紹:

1、它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單、雙向可控硅(晶閘管)。
2、專門設計了0-1O00uA的觸發電流量程,可以直接測量MCR100-6等微安級觸發電流的可控硅。
3、可以測量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器。
4、可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。
5、測試觸發電流和觸發電壓時無需人工調節,可控硅插入測試座后儀器會自動的調節至觸發值,并穩定的顯示觸發電流 IGT / 觸發電壓 VGT。
6、測試可控硅耐壓參數時只需一次性調節好zui高輸出電壓值,以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值。

該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質量檢驗、參數的配對、可控硅設備的維修之用。儀器還可以廣泛的應用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩定、測量準確、使用安全方便。

二、可控硅檢測儀主要技術性能
1、可控硅觸發電流IGT 測量范圍: 6—1000uA ,0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % 。
2、可控硅觸發電壓VGT測量范圍: 0—5V, 精度:≤5 % 。
3、可控硅光耦輸入端LED觸發電流IFT測量范圍:0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % 。
4、可控硅光耦輸入端LED觸發電壓VFT測量范圍:0—3V 精度:≤5 % 。
5、可控硅和可控硅光耦輸出端,正反向不重復峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍: 0—2KV精度:≤3 % 。
6、可控硅和可控硅光耦輸出端,正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍: 0—1.6KV精度:≤5 % 。

三、主要測試功能
1、全系列單雙向塑封可控硅觸發電流IGT、觸發電壓VGT的測試,正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。
2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試,輸出端可控硅正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。
3、電流在200A以內,VDSM / VRSM在2KV以內,觸發電流在120mA以內的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發電壓IGT、觸發電流VGT的測試,正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。
4、2KV以內的各類二極管、三極管、達林頓管、整流橋、MOS場效應管、IGBT及各種模塊的耐壓測試。
5、2KV以內的壓敏電阻、穩壓管、雙向觸發二極管等電壓值的測試。

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