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C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機
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貨物所在地:北京北京市

更新時間:2024-11-05 10:27:15

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C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機主要用途是在中小規模集成電路、半導體元器件和聲表面波器件的研制和生產中使用。C-43的出色之處在于其優良的找平機構,這使得它適用于對不同類型的材料進行曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。

C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機

C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機


C-43型國產高精度光刻機主要用途是在中小規模集成電路、半導體元器件和聲表面波器件的研制和生產中使用。C-43的出色之處在于其優良的找平機構,這使得它適用于對不同類型的材料進行曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。


C-43型國產高精度光刻機的工作方式是一次性光刻曝光,即一次完成曝光過程。以下是其主要技術指標:

配置壹件承片臺,其尺寸可以根據用戶需求進行制造。

曝光頭采用多點光源,具備以下特性:

出射光斑直徑不超過110mm。

在直徑為100mm的范圍內,光的不均勻性小于±4%。

能夠在真空密封條件下進行曝光。

曝光時間可以通過0.1~999.9秒的時間繼電器進行設定。

汞燈的位置可以通過精密的x、y、z調節裝置進行調整,分別可以調節±5毫米。

具備風扇冷卻裝置。

分辨率不低于1μm。

具備真空吸片功能。

具備真空密封和反吹氣的功能,通過調節密封真空的大小可以實現硬接觸曝光(密封真空≤-0.05 Mpa)、軟接觸曝光(密封真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光(密封真空≥-0.02Mpa)。


C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機主要配置:

一臺多點光源曝光頭,支持一次性曝光。

曝光面積不小于φ100mm。

曝光不均勻性小于±4%。

曝光強度不低于15mw。

曝光分辨率不高于2μm。

曝光模式為單面曝光。

控制膜版尺寸為5英寸。

基片尺寸為100mm×100mm,厚度不超過5mm。

曝光燈功率為350W。

曝光定時范圍為0~999.9秒,可調。

電源要求為單相AC 220V 50Hz,功耗不超過1kW。

需要潔凈壓縮空氣壓力不低于0.4Mpa。

可以實現真空度在-0.07Mpa~-0.09Mpa之間。

尺寸為700×650×1200毫米(長×寬×高),重量約為110kg。

備件包括一臺真空泵、一只汞燈和15米φ8氣管。



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