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C-25型單面光刻機 高精度
  • C-25型單面光刻機 高精度
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貨物所在地:北京北京市

更新時間:2024-11-05 10:31:45

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C-25型單面光刻機 高精度主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。由于本機找平機構優良,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

C-25型單面光刻機 高精度

C-25型單面光刻機 高精度




主要用途


主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。


由于本機找平機構優良,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。


主要構成


主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、采用高均勻性的多點光源、 蠅眼、LED、曝光頭,PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。


主要性能指標


1有三種版夾盤,能真空吸附5" ×5"或4" ×4"或3" ×3"方形掩板。對版的厚度無特殊要求(1~4mm皆可)。如果不同于上述尺寸的版,真空無法吸附,但可采用夾盤上的螺孔,和特殊的壓片固定版。


2設有相對應的真空吸附基片的“承片臺"三個,分別適用于φ4,φ3,φ2片。對于非標準片或碎片,只要堵塞相應的小孔,同樣能真空吸附。


3照明


光源:采用GCQ350Z型超高壓水銀直流汞燈。


照明范圍:≤110mm


不均勻性:ф100mm內±3%


可使用的波長:g線、h線、I線的組合。


成象面照明:光照度2~20毫瓦/厘米2,任意可調(出廠時,照明度調在4mw/cm2)。


4采用進口時間繼電器(該繼電器可從0.1秒~999.9秒預設)控制真空快門,動作準確可靠。


5該機為接觸式光刻機,但可實現:


a. 硬接觸曝光:用管道真空來獲得高真空接觸,真空≤-0.05MPα。


b. 軟接觸曝光:接觸壓力可將真空降到-0.02MPα~-0.05MPα之間。


c. 微力接觸曝光:小于軟接觸,真空≥-0.02MPα。


6分辯率估計


如果用戶的“版"、“片"精度符合國家規定,環境、溫度、濕度、塵埃得到嚴格控制,采用正性光刻膠,且勻膠厚度得到嚴格控制。加之前后工藝優良的話,硬接觸曝光的最小分辨度可達1μm以上。如果作為批量生產,建議使用在1.5μm以上。


7對準


對準顯微鏡:


  1、由兩支變焦顯微鏡,兩支CCD攝像頭,一臺液晶顯示器和X.Z方向調節機構組成。


  2、該顯微鏡雙物鏡距離可調。


  3、該顯微鏡既可通過顯示屏同時看見兩物鏡的象,也可轉換成只看左物鏡或右物鏡的象。


  4、總放大倍數:0.7×42~4.5×42=30X~189X。


C-25型單面光刻機 高精度



對準臺:(采用片動,版不動方式)


X、Y調整:硅片X、Y的對準采用切斯曼機構或微分頭調節。


粗調≥±3mm


細調≤±0.3mm。


Q調整:轉角≤3°(另設粗調機構,可進行±15°粗調)


對準間隙(分離間隙)0∽50μm任意可調。


整個對準臺相對于顯微鏡可作±15mm掃描運動。


“接觸、分離"20μm情況下,片相對于版的“漂移量",可調到≤0.5μm。


8設備所需能源


主機電源: 220V±10%   50HZ


潔凈空氣≥0.4mpα


真空:-0.07~-0.08MPα。


9尺寸和重量


尺寸:機體900(長)×674(寬)×882(高)。


重量:150Kg。


機體放在專用工作臺上。


工作臺630(長)×654(寬)×645(高)。


高度可調范圍0~30mm。


重量180Kg(工作臺后側裝有電氣部分)。


總重量≤330Kg


10光刻機的組成


l 主機


主機(含機體和工作臺)


對準采用CCD雙視場系統


蠅眼光源曝光頭


l 附件


主機附件


3"□型掩版夾盤


4"□型掩版夾盤(出廠時安裝到機器上)


5"□型掩版夾盤。


用于φ2"基片的真空夾持承片臺。


用于φ3"基片的真空夾持承片臺(出廠時安裝到機器上)。


用于φ4"基片的真空夾持承片臺。



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