無需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(QDs)，結合使用XPS(A1 Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對同一微觀特征區域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。XPS 和HAXPES 的結合使用，可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

深層界面的分析

在兩種x射線源中，只有 Cr Ka XPS 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態。另外，通過比較，光電子起飛角 90°和30°的 Cr Ka譜圖結果發現在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時，氧化物的強度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。

內核電子的探測

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內核電子基于 Cr Ka 的高能光電子，通常有多個額外的躍遷可用于分析。

應用領域

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領域。

用于全固態電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料，其研發依賴于化學結構到性能的不斷優化。ULVAC-PHI，Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動多功能掃描聚焦X射線光電子能譜儀，具有優秀性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用