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PHI ADEPT 1010-動態二次離子質譜儀
  • PHI ADEPT 1010-動態二次離子質譜儀
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貨物所在地:北京北京市

更新時間:2023-12-31 21:00:06

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動態二次離子質譜儀(D-SIMS)是使用一次離子束(通常是Cs源)轟擊樣品表面,而產生二次離子,然后用質譜分析儀分析二次離子的質荷比(m/q),從而得知元素在樣品中的深度分布,是分析半導體摻雜和離子注入的強有力的工具。

優勢

ULVAC-PHI 最新設計的四極桿-二次離子質譜儀ADPT1010,在原有的PHI6300和PHI6600的基礎上,改善了離子光學系統,是在一次離子能量低至250eV時,仍保持有效的濺射束流的動態二次離子質譜系統(D-SIMS)。


特點

  1. 大束流低能量離子槍設計,極大的提高了深度分辨率

  2. 高性能離子光學系統,改善了二次離子傳輸效率,在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

  3. 高精度全自動5軸樣品操控臺

  4. 不同方向進入檢測器的二次離子,均可被高靈敏地收集檢測

應用實例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下,分析GaAs中注入的H,C,O元素??梢钥吹紿檢測限值7.1X1016 atm/cm3O檢測限值4.4X1015 atm/cm3,C檢測限值2.0X1015 atm/cm3。

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