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美國SVT公司MBE分子束外延系統
美國SVT公司是世界*的MBE供應商，具有20年的MBE設備制造經驗。數位核心工程師擁有25年以上的MBE經驗。
占據美國主要科研市場的SVT分子束外延系統，以其專業化的超高真空技術和薄膜生長技術搏得了廣大客戶的青睞。
SVT公司擁有獨立的應用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術服務。和客戶之間建立共同研發及合作的技術平臺。
SVT公司建立完善的售后服
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美國SVT公司MBE分子束外延系統
美國SVT公司是世界*的MBE供應商，具有20年的MBE設備制造經驗。數位核心工程師擁有25年以上的MBE經驗。
占據美國主要科研市場的SVT分子束外延系統，以其專業化的超高真空技術和薄膜生長技術搏得了廣大客戶的青睞。
SVT公司擁有獨立的應用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術服務。和客戶之間建立共同研發及合作的技術平臺。
SVT公司建立完善的售后服務體系。在北京、香港、美國總部都有服務工程師。
型 號 | 應 用 | 樣 品 尺 寸 |
35-4 | III-V, 或其他化合物半導體 | 4’’ |
35-N | 氮化物半導體 | 4’’或3X2’’ |
35-6 | III-V或II-VI 或其他化合物半導體 | 4’’, 6’’或多片2’’ |
35-G-4 | III-V化合物，SiGe | 4’’ |
SM-6 | Si，Ge，金屬 | 4’’或6’’ |
S-8 | Si，Ge，介質材料 | zui大8’’可配集成腔室 |
SVT-V | 化合物半導體，氮化物，氧化物，鐵磁材料 | 2’’或3’’ |
35-D | 雙生長腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半導體，鐵磁材料 | 3’’或4’’ |
35-V | CIGS | 3’’或4’’ |
NanoFab | II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料 | 1’’或2’’ |
UVD-02 | 氧化物或其他介質材料 | 4’’, 可配有液態源 |
PLD-02 | 氧化物半導體、高溫超導材料、光學晶體材料、電光學薄膜、鐵電以及鐵磁材料等 | 4’’, 激光/電子束沉積 |
35V14 | 化合物半導體，氮化物，氧化物，鐵磁材料 | 14’’或多個小尺寸 |
SVT MBE系統是模塊化設計，主要包括裝載室模塊，預備或分析室模塊，主生長室模塊。可配10個源，線性移動擋板。每個模塊都有獨立的抽氣系統。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。
Model 35-6 AlGaAs（或其他半導體材料）研究和生產型設備，
樣品尺寸可達6英寸。
可容納10個cell。
真空度< 1×10-10Torr。
可配普通束流源，裂解源，RF源，電子束蒸發源。
Model 35-N-V 標準4''襯底MBE平臺，用于生長高質量的氮化物半導體材料。
可容納10個cell。
真空度< 1×10-10Torr。
設計考慮了嚴格的活性氮環境并配有高溫襯底加熱器。
氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。
26-O-V 氧化物MBE系統具有彈性配置。
真空度< 1×10-10Torr。
此多元化MBE平臺可以生長研究各種氧化物材料。
該系統可以配備多坩堝電子束蒸發源以及10個熱蒸發源或等離子源等。
氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號。
Model SM-6 SiGe系統用于生長高質量的Si/Ge及相關化合物。
真空度< 1×10-10Torr。
可容納9個普通源及1個電子束蒸發源，或6個普通源及2個電子束蒸發源。
該系統集成了電子束蒸發和熱源蒸發兩種沉積技術，
并通過傳感器反饋控制技術實現薄膜制備的高度再現性。