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在半導體制造中，干法刻蝕是用來去除表面材料的主要的刻蝕方法。干法刻蝕是把硅片表面暴露于氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與硅片發生物理或化學反應，從而去掉暴露的材料。
一個等離子體干法刻蝕系統由發生刻蝕反應的反應腔、一個產生等離子體的射頻電源、氣體流量控制系統、去除刻蝕生成物和氣體的真空系統等組成。刻蝕反應系統包括傳感器、氣體流量控制單元和終點觸發探測器。一般的干法刻蝕中的控制參數包括真空度、氣體混合組分、氣流流速、溫度、射頻功率和硅片相對于等離子體的位置。常用的干法等離子體反應器類型包括圓筒式等離子體反應器、平板式反應器、順流刻蝕系統、三級平面反應器、離子銑、反應離子刻蝕器、高密度等離子體刻蝕機等。
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