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GaS 硫化鎵晶體 (Gallium Sulfide)

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌2D Semiconductors

廠商性質生產商

所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-02 18:25:58瀏覽次數:986次

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供貨周期 現貨 應用領域 環保,化工,能源
Large size hexagonal phase GaTe (Gallium telluride) crystals have been developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT)

Large size hexagonal phase GaTe (Gallium telluride) crystals have been developed at our facilities using three different growth techniques, namely Bridgman growth, chemical vapor transport (CVT), and flux zone growth, to optimize grain sizes and reduce defect concentrations. In contrast to commonly used chemical vapor transport (CVT) technique, flux grown crystals are well known for their structural perfection and electronic/optical performance. Bridgman and flux zone methods both offer similar grade qualities. Each crystal very large in size to last for years, is highly crystalline, oriented in 0001 direction, and easy to exfoliate. Our R&D staff takes characterization dataset in each sample piece to ensure structural, optical, and electronic consistency.
Properties of monoclinic GaS vdW crystals

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