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泰州巨納新能源有限公司
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三硫化二銦晶體

參   考   價: 7579.65

訂  貨  量: ≥1 片

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌2D Semiconductors

廠商性質生產商

所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-02 18:55:22瀏覽次數:837次

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供貨周期 現貨 應用領域 環保,化工,地礦,能源
Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical band gap ranging from 2 eV - 3.25 eV. It's fundamental band gap nature (direct vs indirect) and its value have been much deba

Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical band gap ranging from 2 eV - 3.25 eV. It's fundamental band gap nature (direct vs indirect) and its value have been much debaded in the field and remains open ended. In2S3 is particular attractive semiconductor for photoelectrochemical, solar cell, and photonic applications. Typical crystal sizes range in few-mm in size and each order contains 5-7 pieces of In2S3 crystals. The crystals appear layered but is harder to exfoliate compared to molybdenum disulfide. Thus, we recommend using highly adhesive tapes, ultrasonic exfoliation, or other methods to yield atomically thin sheets.


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