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泰州巨納新能源有限公司
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硅基的CVD石墨烯與氮化硼異質結構

參   考   價: 4394

訂  貨  量: ≥1 片

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-03 21:50:44瀏覽次數:981次

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供貨周期 現貨 應用領域 環保,化工,能源,綜合
CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
Properties of Graphene/h-BN Film:
Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO

CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

Properties of Graphene/h-BN Film:

Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO2/Si wafer

Size: 1cmx1cm; 4 pack

The thickness and quality of each film is controlled by Raman Spectroscopy

The coverage of this product is about 98%

The films are continuous, with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The graphene film is premodominantly single layer (more than 95%) with occasional small multilayer islands (less than 5% bi-layers)

Sheet Resistance: 430-800 Ω/square

Properties of Silicon/Silicon Dioxide Wafers:
Oxide Thickness: 285 nm
Oxide Thickness: 285 nm
Color: Violet
Wafer thickness: 525 micron
Resistivity: 0.001-0.005 ohm-cm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: <100>
Front Surface: Polished
Back Surface: Etched


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