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EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System
EVG®810LT LowTemp™等離子激活系統
適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統
技術數據
EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨立單元。 處理室允許進行異位處理（晶圓被一一激活并結合在等離子體激活室外部）。
特征
表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結）
晶圓鍵合機制中的動力學
無需濕工藝
低溫退火（400°C）下的粘結強度
適用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級基板粘接
高度的材料兼容性（包括CMOS）
EVG810 LT技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：50-200、100-300毫米
LowTemp™等離子活化室
工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）
通用質量流量控制器：自校準（高達20.000 sccm）
真空系統：9x10-2 mbar
腔室的打開/關閉：自動化
腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）
可選功能
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統：9x10-3 mbar基本壓力
符合LowTemp™等離子活化粘結的材料系統
Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）
TEOS / TEOS（熱氧化）
絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge
硅/氮化硅
玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半導體：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，環烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）
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