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北京亞科晨旭科技有限公司
中級會(huì)員 | 第7年

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CRESTEC-超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列
  • CRESTEC-超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列
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貨物所在地:北京北京市

地: 日本

更新時(shí)間:2025-02-24 21:00:07

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納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作的方法之一。

CRESTEC CABL 系列采用專業(yè)的恒溫控制系統(tǒng),使得整個(gè)主系統(tǒng)的溫度保持恒定,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部精密傳感裝置,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,電子束電流分布均一性都得到了大的提高,其性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它廠家的同類產(chǎn)品,在長達(dá) 5 小時(shí)的時(shí)間內(nèi),電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,電子束電流分布也非常均一。

 

 

由于 EBL 刻寫精度很高,因此寫滿整個(gè) Wafer 需要比較長的時(shí)間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長時(shí)間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,這對大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。

 

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。

 

 

Stitching accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

Overlay accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

 
 

Stitching accuracy for slant L&S 10nm

 

該圖是在 2 英寸 wafer 上,采用 50 um 的圖案進(jìn)行拼接,寫滿整個(gè)片子,其拼接精度低于 10 nm.實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù))。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條,無論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域

CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。

 

主要特點(diǎn):

1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)                                      3.采用場尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達(dá) 0.0012nm

4.采用軸對稱圖形書寫技術(shù),圖形偏角分辨率可達(dá) 0.01mrad

5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測量等。

 

 

 

超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列的型號(hào)包括:

CABL-UH90 (90keV) CABL-UH110 (110keV) CABL-UH130 (130keV)

 

技術(shù)參數(shù):

加速電壓:高 130keV

單段加速能力達(dá)到 130keV,盡量減少電子槍的長度超短電子槍長度,無微放電

電子束直徑<1.6nm 小線寬<7nm

雙熱控制,實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力

 

 

 

CABL-UH130kV)系列

由于較高的加速電壓,EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準(zhǔn)確度低于10 nm。您可以根據(jù)自己的需要選擇90kVHOkV130kV

光束直徑:<1.6nm

小線寬:7 nm(在130kV時(shí))

加速電壓:130 kV110 kV90 kV

載物臺(tái)尺寸:8英寸晶圓(可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓)

我的特色

♦Vacc:大130kV25-130kV5kV步進(jìn))

單級加速能力高達(dá)130kV,以小化EOC尺寸

無放電電子槍

光束直徑:> 1.6nm

細(xì)線能力:<7nm

發(fā)射極和陽極之間的靜電透鏡設(shè)計(jì)為在消隱電極的中心實(shí)現(xiàn)非常低的像差和近距離交叉圖像

使用雙熱控制器實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定的寫入能力

I規(guī)格

電子發(fā)射器/

加速電壓TFEZrO / WZ25?130kV

小光束直徑/

小線寬1.6nm / 7.0nm

掃描方式矢量掃描(xy)(標(biāo)準(zhǔn))

矢量掃描(r6),光柵掃描,點(diǎn)掃描(可選)

高級光刻功能(可選)場尺寸調(diào)制光刻,軸向?qū)ΨQ圖案光刻

字段大小30 pmZ60pmZ120prrZSOOpmZ600pm3(標(biāo)準(zhǔn))1200pmZi2400pmZi(可選)

20,000 x20,000點(diǎn),60,000 x 60OO點(diǎn),96,000 x 96OO點(diǎn),

像素?cái)?shù)240,000x 240OO點(diǎn)©矢量掃描(標(biāo)準(zhǔn))

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描(可選)

小地址大小10nm @ 600pmZfield2nm @ 120pmZfield(標(biāo)準(zhǔn))

0.0012nm@600pmZfield(可選)

尺寸為468英寸的工件>(其他尺寸和其他形狀的工件可以通過我們的靈活裝置安裝)

拼接業(yè)紜蘇50nm3u@ 600pmZ20nm2a@ 60pmZ

重疊精度50nm3o@ 600pmZ

CAD軟件CAD(標(biāo)準(zhǔn)),GDS n轉(zhuǎn)換(可選),DXF轉(zhuǎn)換(可選)

操作系統(tǒng)Windows

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