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產品簡介
詳細介紹
PECVD開啟式管式爐系統在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場，使反應室氣體發生輝光放電，在輝光發電區域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發生化學反應生成介質膜，副產物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)。 PECVD開啟式管式爐系統由開啟式管式爐、高真空分子泵系統、射頻電源系統及多通道高精度數字質量流量控制系統組成，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統主要功能和特點： 1、PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等； 2、PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應； 3、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜； 4、高真空系統由雙級旋片真空泵和分子泵組成，zui高真空可達0.001Pa； 5、數字質量流量控制系統是由多路質量流量計，流量顯示儀等組成，實現氣體的流量的精密測量和控制； 6、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統的安全性和連續均勻性； 7、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷； 8、管路采用世界*Swagelok卡套連接，不漏氣； 9、超溫、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣，使用安全可靠。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統主要用途： 高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。 | ||
PECVD開啟式管式爐系統技術參數： | ||
SKGL-1200 開啟式管式爐 | 控溫方式 | 采用人工智能調節技術，具有PID調節、自整定功能，并可編制30段升降溫程序。 |
加熱元件 | 0Cr27Al7Mo2 | |
工作電源 | AC220V 50Hz/60Hz | |
額定功率 | 4kw | |
爐管材質 | 高純石英管 | |
爐管尺寸 | Φ60/Φ80*1200mm | |
工作溫度 | ≤1150℃ | |
zui高溫度 | 1200℃ | |
恒溫精度 | ±1℃ | |
恒溫區 | 200mm | |
升溫速度 | ≤10℃/min | |
密封方式 | 不銹鋼快速法蘭擠壓密封 | |
ZK-F 分子泵真空系統 | 真空范圍 | 0.1-0.001Pa |
極限真空 | 4.0*10^-4Pa | |
產品配置 | 雙級旋片真空泵+分子泵 | |
測量方式 | 復合真空計 | |
真空規管 | 電阻規+電離規 | |
冷卻方式 | 風冷 | |
工作電源 | AC220V 50/60HZ | |
抽速 | 110L/S | |
射頻電源系統 | 射頻功率輸出范圍 | 5~500W |
射頻頻率 | 13.56MHz±0.005% | |
噪聲 | ≤55DB | |
冷卻方式 | 風冷 | |
功率溫定度 | ± 0.1% | |
HQZ-Ⅳ 混氣系統 | 流量規格 | 0－200sccm （可根據客戶需要配置） |
線性 | ±1.5%F.S | |
準確度 | ±1.5%F.S | |
重復精度 | ±0.2%F.S. | |
響應時間 | ≤8sec | |
耐壓 | 3MPa | |
氣路通道 | 4通道（根據客戶需求） | |
針閥 | 316不銹鋼 | |
管道 | Φ6mm不銹鋼管 | |
接口 | SwagelokΦ6mm | |