目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1200-T4-H桌面RTP快速退火爐
RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作.
1、更短的工藝時間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時雜質(zhì)運動zui小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標準工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
產(chǎn)品名稱 RTP快速退火爐【管式】 產(chǎn)品型號 CY-RTP1200-T4-H 有效尺寸 Φ100mm 基片尺寸 ≦4英寸 升溫速率 B型為標準配置：≦200℃/S,供電要求:AC380V/60Hz，功率18KW 降溫速率 200℃以上≤25min 控溫模式 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 控溫精度 ±1℃ 工作溫度 ≦1000℃ 測溫位置 測溫點置于樣品處 密封法蘭 水冷式 工作真空 10-3Pa～105Pa均可 可通氣氛 可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體 真空測量 標準配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa 選裝配置：復(fù)合真空計，量程10-5Pa～105Pa 真空系統(tǒng) 標準配置：VRD-4真空泵1臺 供電要求 要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC380V/60Hz 水冷機組 水箱容量9L，zui大揚程10m 整機尺寸 1200mm x 610mm x 570mm 包裝尺寸 1475*700*800 包裝重量 180Kg 隨機配件 1、說明書1本 2、隨機配件1套 3、配件清單1份
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