熱蒸發鍍膜儀的物理過程主要包括材料的蒸發、氣態粒子的輸運以及在基底上的沉積成膜。在蒸發過程中，材料需要獲得足夠的熱能以克服分子間的結合能，從而轉變為氣態分子并從蒸發源表面逸出 。這些氣態粒子在輸運過程中基本上無碰撞地直線飛行到基底表面，并在那里凝聚形核生長成固相薄膜

本產品為專為高真空設計的桌面型小型蒸發鍍膜儀，可提供*大150A的鍍膜電流，*大蒸發溫度可達1800℃，能夠滿足各種常見金屬的蒸鍍及部分非金屬蒸鍍。真空腔體采用不不銹鋼制作，出廠經過除氣處理，配合分子泵組可達到5x10-5Pa極限真空，能夠滿足絕大部分材料蒸發所需的真空環境。真空腔體采用前開門開啟方式，便于取放樣，腔體上配置有帶擋板的適應觀察窗，用于觀察鍍膜過程，擋板則可以有效防止觀察窗被膜料污染.

桌面型三源蒸發鍍膜儀產品特點：

高純度薄膜：由于在高真空條件下進行，減少了氣體分子與蒸發材料的碰撞，從而能夠制備出高純度的薄膜。
**控制：蒸發鍍膜技術允許對薄膜的厚度、成分和結構進行**控制，這在許多高精度應用中至關重要。
適用多種材料：蒸發鍍膜技術可以用于多種材料，包括金屬、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有機材料等。
高沉積速率：特別是使用電子束蒸發時，由于高能量的電子束能夠快速加熱材料，可以實現高沉積速率。
均勻性：通過適當的工藝參數調整，可以在大面積基底上獲得均勻的薄膜。
低損傷：由于加熱主要集中在蒸發材料上，對基底的熱影響較小，適用于熱敏材料的薄膜沉積。

技術參數：