目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>多弧離子鍍膜儀>> CY- MIOP500高真空多弧離子鍍膜儀
CY- MIOP500 為高真空多弧離子鍍膜儀，利用電弧放電將導電材料離子化，利用其繞射性好的優(yōu)勢，產生高能離子并沉積在基底上（特別是泡沫鎳等多孔基底），制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。主要由鍍膜室、多弧靶、多弧電源、脈沖偏壓電源、樣品臺、加熱、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏半自動控制系統(tǒng)等組成；該設備主機與控制一體化設計，操控方便；結構緊湊，占地面積小。該系列設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產品等，深受廣大用戶好評。
制備多元非晶合金,制備金屬化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧氣或氮氣氛圍）,制備納米顆粒催化劑膜,用熱電材料靶材制備熱電效應薄膜。
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1.真空腔室 | Ф500×H420mm，304 上等不銹鋼，前開門結構； 腔室加熱溫度：室溫～350±1℃； |
| 2.真空系統(tǒng) | 復合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復合真空計； |
| 3.真空極限 | 優(yōu)于 6.0×10-5Pa（空載，經烘烤除氣后）； |
| 4.漏率 | 設備升壓率≤0.8Pa/h； 設備保壓：停泵 12 小時候后，真空≤10Pa； |
| 5.抽速 | (空載）從大氣抽至 5.0×10-3Pa≤15min； |
| 6.基片臺尺寸 | Φ150mm，自轉工位 3 個； |
| 7.基片臺旋轉 | 基片旋轉：0～20 轉/分鐘； |
| 8.濺射靶 | DN100 新型磁過濾多弧靶 2 套 |
| 9.脈沖偏壓電源 | -1000V，1 套； |
| 11.控制方式 | PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統(tǒng)； |
| 12.報警及保護 | 對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護措施；完善 的邏輯程序互鎖保護系統(tǒng)； |
| 13.占地 | (主機）L1900×W800×H1900(mm)。 |
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