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深圳CLR6219SQA同步整流控制器-代理
代商咨詢：深圳市恒創億科技有限公司 ：支持，加時請備注。（支持技術咨詢,提供樣品測試）
產品簡介
詳細介紹
深圳CLR6219SQA同步整流控制器-代理
CLR6219SQA替代杰華特JW7700A 同步整流控制器
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概述
CLR6219SQA是一款內置N型功率MOSFET的同步整流控制器。適用于DCM和QR工作模式的電源系統。用于替換反激系統中次級整流肖特基二極管。CLR6219SQA內置電壓降極低的功率MOSFET以提高系統效率并降低同步整流芯片溫度。內置MOSFET工作在開關狀態，當芯片檢測到VSW<-300mV時MOSFET打開，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET關閉。芯片zui大限度地減少了系統元件數目并采用SOP8封裝，這些使得CLR6219SQA能夠減小系統所占空間。
深圳CLR6219SQA同步整流控制器-代理
特性
◆ 內置19mΩ(Typ.) 45V N-MOSFET
◆ 適用于DCM和QR工作模式
◆ 消除諧振干擾
◆ 外圍器件少
◆ 欠壓保護（UVLO）
應用范圍
◆ 電池充電器和適配器
封裝形式：
CLR6219SQA采用SOP8封裝
典型應用
打標說明及管腳分布
zui大額定值(注1)
參數范圍
VDD腳電壓-0.3 V to 9V
VSW腳電壓-2V to 45V
功耗2.5W
zui低/zui高存儲溫度Tstg -65 ℃to 150 ℃
工作結溫范圍-40 ℃to 150 ℃
封裝耗散等級
封裝RθJA (℃/W)
SOP8 90
注1: 超出“zui大額定值”可能損毀器件。長時間運行在zui大額定條件下可能會影響器件的可靠性。
*工作范圍
符號參數范圍單位
SW 20~45 V
VDD 7~9 V
Operation Junction Temp -40~125 ℃
電氣特性（注2）
(如果沒有特殊說明,環境溫度= 25℃)
符號參數測試條件zui小值典型值zui大值單位
電源電壓(VCC電壓)
VUVLO VDD欠壓保護閾值電壓3.6 V
VDD VDD電壓VSW=40V，CvDD=0.1uF 7.8 V
IOP VDD工作電流VDD=6V，CvDD=0.1uF 44 56 68 uA
VDD_START 啟動管充電電壓3.85 V
SW端電壓檢測
VTH_ON 檢測VSW腳開啟閾值-300 mV
VTH_OFF 檢測VSW腳關斷閾值-5 mV
TON_DELAY 開通延遲190 ns
TOFF_DELAY 關斷延遲10 ns
TB MOS開啟消隱時間500 ns
TOFF_MIN MOSzui小關斷時間2.5 us
功率管
Rdson 功率管導通阻抗VGS=4.5V,IDS=20A 19 27 mΩ
BVdss 功率管擊穿電壓VGS=0V,IDS=250uA 45 V
注2:典型參數值為25℃下測試得到的參數標準。
使用說明
CLR6219SQA是一款高集成度的同步整流控制芯片，內置電壓降極低的N-MOSFET，可以提高系統效率。
●啟動
CLR6219SQA具有UVLO功能，當VDD電壓高于VDD_START，IC從鎖存模式切換到正常工作模式，當VDD電壓低
于VUVLO，IC再次進入鎖存模式，此時MOSFET的驅動信號被拉低。
●同步工作模式
芯片通過檢測VSW來控制功率MOSFET的開關實現同步整流功能。當芯片檢測到VSW<-300mV時，MOSFET打開，副邊開始續流，MOSFET的導通壓降會使得VSW電位線性升高，當芯片檢測到VSW>-5mV時MOSFET的GATE電位在TOFF_DELAY后變低，MOSFET關閉。
●消隱時間
當功率MOSFET打開時，副邊漏感和MOSFET的輸出電容產生振蕩，容易使VSW的電壓大于-5mV，引起MOSFET
的誤關斷，為了避免該現象，芯片內部設定一個固定的消隱時間，在消隱時間內即使VSW大于-5mV，MOSFET也不會
誤關斷。
CLR6219SQA替代杰華特JW7700A 同步整流控制器
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