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硅晶片上的氧化膜、抗蝕劑等自動(dòng)膜厚檢測(cè)設(shè)備介紹

2022-4-26  閱讀(1040)

硅晶片上的氧化膜、抗蝕劑等自動(dòng)膜厚檢測(cè)設(shè)備介紹

F60 Alignment自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)
F60自動(dòng)映射膜厚測(cè)量系統(tǒng)是F50的機(jī)型,具有缺口檢測(cè)、自動(dòng)基線功能和聯(lián)鎖機(jī)構(gòu)。
只需將樣品放在載物臺(tái)上并單擊測(cè)量按鈕,即可自動(dòng)執(zhí)行對(duì)齊、基線和薄膜厚度映射。

主要特點(diǎn)

  • 具有缺口檢測(cè)、自動(dòng)基線功能和聯(lián)鎖機(jī)制的 F50 型號(hào)

  • 自動(dòng)測(cè)量對(duì)準(zhǔn)、基線和薄膜厚度映射

主要用途

半導(dǎo)體抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅等

產(chǎn)品陣容

模型F60-tF60-t-UVF60-t-NIRF60-t-EXR
測(cè)量波長(zhǎng)范圍380 – 1050nm
190 – 1100nm950 – 1700nm380 – 1700nm
膜厚測(cè)量范圍20nm – 70μm5nm – 40μm100nm – 250μm20nm – 250μm
準(zhǔn)確性± 0.2% 薄膜厚度± 0.4% 薄膜厚度± 0.2% 薄膜厚度
2納米1納米3納米2納米

測(cè)量示例

可以測(cè)量硅晶片上的氧化膜、抗蝕劑等。只需設(shè)置樣本和對(duì)齊,參考等將自動(dòng)完成。

 

z東

硅襯底上氧化膜的測(cè)量





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