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數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀
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  • 數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀

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貨物所在地: 山東濟寧市
更新時間: 2025-07-11 11:35:11
期: 2025年7月11日--2026年7月11日
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產(chǎn)品簡介

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號: LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試

詳細介紹

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號: LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                        
      該設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗,經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。 

 LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點: 
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。 
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態(tài)光電導衰退波形,并可聯(lián)用打印機及計算機。 
4、配置兩種波長的紅外光源: 
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。 
5、測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量: 
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 
壽命可測范圍     0.25μS—10ms      

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