888-探討3051TA3A2B21AB4M5羅斯蒙特變送器
2013——2014年，戴文淵就職華為，任華為諾亞方舟實(shí)驗(yàn)室主任科學(xué)家，獲華為“PresidentAward"。2015年，戴文淵和機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的科學(xué)家、工程師、咨詢專(zhuān)家及金融行業(yè)專(zhuān)家一起，創(chuàng)立了通用人工智能行業(yè)應(yīng)用企業(yè)“第四范式"，并擔(dān)任CEO。本次統(tǒng)計(jì)是基于2016年度在人工智能領(lǐng)域中創(chuàng)業(yè)的代表，我們相信在2017年，將有更多的科學(xué)家和研究人員加入到人工智能的時(shí)代變革中，在2017年，我們期待將產(chǎn)生人工智能創(chuàng)業(yè)30人，甚至40人，正是這一批科學(xué)家?guī)?dòng)著行業(yè)不斷前進(jìn)。

上海菁園科技有限公司，主要做西門(mén)子系列，洛森風(fēng)機(jī)，EBM風(fēng)機(jī)，施樂(lè)百風(fēng)機(jī)，海德漢編碼器，以及歐洲各種工控新產(chǎn)品，有需要?dú)g迎隨時(shí)聯(lián)系常用的都備有大量現(xiàn)貨，有優(yōu)勢(shì)歡迎詢價(jià)。本公司將為您提供好的產(chǎn)品，好的售前及售后服務(wù)，上述價(jià)格僅供參考終價(jià)格咨詢。葛?。I(yè)務(wù)經(jīng)理）

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而高速交通體系確實(shí)極大地帶動(dòng)了現(xiàn)代社會(huì)和經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，創(chuàng)造了巨大價(jià)值，這也反證了將節(jié)省時(shí)間作為核心用戶價(jià)值的合理性。回到汽車(chē)后市場(chǎng)，我常常驚訝的發(fā)現(xiàn)，后市場(chǎng)廣泛存在著對(duì)用戶時(shí)間的漠視，普遍缺乏良好服務(wù)行業(yè)的時(shí)效意識(shí)。曾有一位維修廠老板跟我講，車(chē)子就是要多修幾天，才能體現(xiàn)難度抬高價(jià)格，修太快了客戶反而會(huì)覺(jué)得不值，所以有時(shí)候車(chē)過(guò)來(lái)了他就先晾上幾天。雖然這只是個(gè)例，但也反應(yīng)了后市場(chǎng)整體上對(duì)用戶時(shí)間的忽視程度。

  

3051TA羅斯蒙特壓力變送器是經(jīng)過(guò)40年電力行業(yè)考驗(yàn)的羅斯蒙特壓力變送器中的常用產(chǎn)品之一。具有高可靠性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性和易于維護(hù)的設(shè)計(jì)。羅斯蒙特壓力變送器無(wú)論從設(shè)計(jì)到安裝，從維護(hù)到操作都能實(shí)現(xiàn)化的測(cè)量概念。

一、產(chǎn)品概述：

羅斯蒙特的3051TG壓力變送器，3051TA絕壓變送器集傳感器、電子技術(shù)與單隔離膜片設(shè)計(jì)與一體，實(shí)現(xiàn)表壓和絕壓測(cè)量的校驗(yàn)量程從0.3到10000psi。3051T型壓力變送器工作原理：工作時(shí)，高、低壓側(cè)的隔離膜片和灌充液將過(guò)程壓力傳遞給灌充液，接著灌充液將壓力傳遞到傳感器中心的傳感膜片上。3051壓力變送器傳感膜片是一個(gè)張緊的彈性元件，其位移隨所受壓而變化（對(duì)于3051GP壓力變送器，大氣壓如同施加在傳感膜片的低壓側(cè)一樣）。3051AP絕壓變送器，低壓側(cè)始終保持一個(gè)參考?jí)毫?。傳感膜片的位移量?.004英寸（0.1毫米），且位移量與壓力成正比。兩側(cè)的電容極板檢測(cè)傳感膜片的位置。傳感膜片和電容極板之間電容的差值被轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電流，電壓或數(shù)字HART（高速可尋址遠(yuǎn)程發(fā)送器數(shù)據(jù)公路）輸出信號(hào)。

二、技術(shù)參數(shù)：

總體性能：±0.15%FS

精度：±0.075%FS

壓力：校驗(yàn)量程從0.3至10000psi

表壓：校驗(yàn)量程從0.3至10000psi

不銹鋼與哈氏合金CR過(guò)程隔離膜片

單隔離膜片設(shè)計(jì)

灌充液：硅油與惰性油

可選DIN與Autoclave相配的過(guò)程連接

三、選型指南：

型號(hào)

變送器類(lèi)型

3051TG

3051TA

表壓變送器

壓力變送器

代碼

壓力范圍

3051TG  3051TA

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為什么三星的14納米會(huì)不如臺(tái)積電的16納米制程的另一個(gè)原因，在于FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)電晶體)良好制程上的命名慣例被三星打破。當(dāng)初臺(tái)積電剛采用立體設(shè)計(jì)的FinFET工藝時(shí)，原本計(jì)畫(huà)按照與Intel*的測(cè)量方法、稱(chēng)為20納米FinFET，因?yàn)樵摯瞥痰木€寬與前一代傳統(tǒng)半導(dǎo)體2D平面工藝20納米的線寬差不多。但三星搶先命名為「14納米」，為了不在宣傳上吃虧，臺(tái)積電改稱(chēng)為「16納米」。事實(shí)上，三星與臺(tái)積電皆可稱(chēng)為「20納米FinFET」。