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簡介：硅（Si）主要制作半導體器件、紅外光學器件以及太陽能電池襯底等材料。
性能及參數 | |||
晶體結構 | 面心立方 | ||
顏色及外觀 | 黑色 | ||
密度 | 2.4g/cm3 | ||
熔點 | 1420℃ | ||
摻雜物質 | 不摻雜 | 摻B | 摻P |
類型 | N或P | P | N |
電阻率 | ＞1000Ωcm | 10-3～40Ωcm | 102～104Ω㎝ |
EPD | ≤100/cm2 | ≤100/cm2 | ≤100/cm2 |
氧含量 | ≤1～1.8×1018 /cm3 | ≤1～1.8×1018 /cm3 | ≤1～1.8×1018 /cm3 |
碳含量 | ≤5×1016/cm3 | ≤5×1016/cm3 | ≤5×1016/cm3 |
晶向 | <100>、<110>、<111> | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
邊緣定向精度 | ±1° | ||
斜切晶片 | 可按照客戶需求，定制特殊方向 | ||
尺寸（可按照客戶需求，定制特殊尺寸） | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 | ||
dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm等 | |||
拋光 | 單面拋光、雙面拋光等 | ||
表面粗糙度 | ＜5 Å | ||
包裝 | 1000級超級凈室100級超凈袋或單片晶盒封裝 | ||
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