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水溶性氨基PEG包覆Mn摻雜量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性氨基PEG包覆Mn摻雜量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
水溶性Mn摻雜結構量子點產品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產580nm～6...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射800±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射760±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射720±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射680±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射640±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射600±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性CuInS/ZnS 量子點（發射550±20nm） 參考價：面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為30%，儲存時應避免陽光直射...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射750±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射700±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射650±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射620±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射600±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射580±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射550±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射520±10nm） 參考價：面議
水溶性InP/ZnS量子點產品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗...
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射750±10nm） 參考價：面議
本產品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發射光譜窄而對稱，熒光強度高而穩定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射700±10nm） 參考價：面議
本產品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發射光譜窄而對稱，熒光強度高而穩定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點（發射650±10nm） 參考價：面議
本產品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發射光譜窄而對稱，熒光強度高而穩定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
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