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測定三氯氫硅中痕量磷
閱讀：2911 發布時間：2011-5-12
TP8000型“高溫氫還原-火焰光度氣相色譜儀”簡介
（測定三氯氫硅中痕量磷儀器）
一、 前言
半導體硅材料中磷含量的高低，直接影響器件的電性能。隨著硅材料研究及生產的不斷提高，對于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度、速度、準確度提出更高要求。
三氯氫硅中雜質磷的分析，傳統的方法為將雜質磷轉變成磷鉬雜多酸，再還原成磷鉬藍進行比色測定。在此基礎上后來有改進，諸如經苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬，或利用化學光譜法測出鉬量進而間接換算出磷含量；加大取樣量等。雖然在靈敏度上有一定提高，但都要經過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程。為要形成穩定的絡合物來分離基本和消除雜質干擾，化學分離手續相當繁雜，分析時間長，而且，測定靈敏度也不能滿足生產上的要求。
為了提高三氯氫硅中雜質磷分析靈敏度和速度，國內外相關科研人員做了大量工作。例如，有專家采用氣相色譜法測定了三氯氫硅中以PCL3與POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氫硅中雜質磷還可能以其他形式存在（例如，PCL5、PSCL3），因此，欲采用氣相色譜法測定總磷含量，首先要保證樣品中以各種形式存在的磷都能從分離柱中流出，這無疑是一項很艱巨的工作，至今尚未見到報道。又例如，有專家采用“ICP—MS”法測定三氯氫硅中痕量雜質磷，測試方法雖然簡捷，遺憾的是，測定靈敏度下限僅為0.3PPb，不能滿足多晶硅生產工藝對三氯氫硅中雜質磷的分析要求（工藝要求三氯氫硅中雜質磷含量應小于0.1PPb）。
二、 測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。
針對上述現狀，我公司專家級工程師經過多年在硅行業的豐富經驗，與大量的切合實戰分析，研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。進幾年已在國內硅行業多個生產廠家得到應用，反應*，與價格昂貴的“ICP-MS”法比較有廉價實用，快速測定，痕量（≤0.06PPb）分析，耗材低等特性。對于快速反應指導三氯氫硅生產工藝，更加提純硅產品，為社會提供更的單晶硅產品，是我司特別推出此套分析儀器的宗旨，也是您可信賴的合作伙伴。
TP8000分析儀總磷測定
三氯氫硅———————————→多晶硅————→單晶硅產品
三、 儀器的特點和指標
1、 所測三氯氫硅中雜質磷含量為總磷含量；
2、 三氯氫硅中雜質磷含量測定下限為0.06PPb；
3、 測定手續簡便只需用注射針筒向儀器注入三氯氫硅即可；
4、 測定周期短，自注入三氯氫硅到測出磷化氫峰高（或面積）需時20分鐘；
5、 儀器結構簡潔、直觀，便于使用和維修。
儀器選購及售后服務
在你購買儀器前協助你全面了解儀器的性能、特點，儀器選型的全面咨詢服務。在您購買儀器后，我們可派專業技術人員前往您的單位進行儀器的安裝、啟動、調試。定期舉辦培訓班，長期供應儀器的易損、易耗件。依國家行業標準，儀器實行三包，保質期十二個月，終身維修，自接到用戶詢問后，24小時內答復，若需到現場，48小時內到位，做好售后服務。