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當(dāng)前位置:
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[供應(yīng)]DS-HMDS系列-HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)(真空鍍膜機(jī))
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  • DS-HMDS系列-HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)(真空鍍膜機(jī))
貨物所在地:
上海上海
產(chǎn)地:
上海市奉賢區(qū)柘林鎮(zhèn)
更新時間:
2020-05-02 10:53:06
有效期:
2020年5月2日 -- 2021年5月2日
已獲點(diǎn)擊:
362
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產(chǎn)品簡介

HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)(真空鍍膜機(jī))主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料,為基片在涂膠前改善表面活性,增加光刻膠與基底的粘附力的*設(shè)備,也可用于晶片其它工藝的清洗,尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。

詳細(xì)介紹

一· 應(yīng)用領(lǐng)域:

  1. HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)(真空鍍膜機(jī))主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料,為基片在涂膠前改善表面活性,增加光刻膠與基底的粘附力的設(shè)備,也可用于晶片其它工藝的清洗,尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。

二· 應(yīng)用背景:

2.1 在半導(dǎo)體(芯片/集成電路)生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。

2.2 光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠,等現(xiàn)象,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。通過HMDS預(yù)處理系統(tǒng)預(yù)處理后,使基片表面涂布一層硅氧烷為主體的化合物,可以*改善以上各種狀況,從而大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量,降低次品率。

三· 工作原理:

3.1 設(shè)備為PLC工控全自動運(yùn)行,通過高溫烘烤基片,去除其表面的水分,充入HMDS六甲基二硅氮烷C6H19NSi2氣體,在高溫作用下,基片表面和HMDS充分融合反應(yīng),生成以硅氧烷為主體的化合物,使基片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

四· 使用流程:

4.1 啟動真空泵使腔體內(nèi)達(dá)到設(shè)定真空值,待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空后,開始沖入氮?dú)?,然后再進(jìn)行真空操作,再次充入氮?dú)?,?jīng)過反復(fù)真空充氮,可提高箱體內(nèi)潔凈度,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分,然后再次開始抽真空,沖入HMDS氣體,在達(dá)到設(shè)定時間后停止充入,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)保持時間達(dá)到設(shè)定值后,再次開始抽真空,沖入氮?dú)?,完成整個作業(yè)過程。

五· 產(chǎn)品亮點(diǎn):

5.1 控制采用PLC工控自動化系統(tǒng),人機(jī)界面采用觸摸屏,具有可靠性高,操作方便、直觀等特點(diǎn).

5.2 超大觀測窗,外層采用透光度99%的亞克力板,內(nèi)層采用高強(qiáng)度鋼化玻璃,全程可視化監(jiān)測。

5.3 內(nèi)膽采用防腐防酸堿不銹鋼,四角圓弧設(shè)計(jì),易清潔。

5.4 去水烘烤和增粘(疏水)處理一機(jī)完成,無需轉(zhuǎn)移,有效規(guī)避HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)泄露的危險(xiǎn)。

5.5 處理更加均勻。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上,所以比液態(tài)涂布更均勻。
5.6 效率高。液態(tài)涂布是單片操作,而本系統(tǒng)一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片。
5.7 更加節(jié)省藥液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片,更加節(jié)省藥液; 
5.8 更加環(huán)保和安全,HMDS是有毒化學(xué)藥品,人吸入后會出現(xiàn)反胃、嘔吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整個過程是在密閉的環(huán)境下完成的,所以人接觸不到藥液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾氣是直接由機(jī)械泵抽到尾氣處理機(jī),降低對環(huán)境的污染。

六·安全保護(hù):

6.1 超溫報(bào)警   6.2 過流過載保護(hù)    6.3 快速熔斷器   6.4 接地保護(hù)  6.5 缺相保護(hù)  6.6  漏電保護(hù)器   

七· 選配件

7.1 溫度記錄儀-----------------------------------------------------¥2500

7.2 獨(dú)立限溫控制器---------------------------------------------¥600

7.3 累時器-----------------------------------------------------¥300

7.4 USB 接口---------------------------------------------------¥500

7.5 打印機(jī)-----------------------------------------------------¥1500

八· 特別注意

8.1 HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)(真空鍍膜機(jī))測試條件:空載、無強(qiáng)磁、無震動、環(huán)境溫度20℃、環(huán)境相對濕度50%RH。

8.2 本公司可根據(jù)客戶不同需要,設(shè)計(jì),制造各種相關(guān)溫度、濕度、真空度、潔凈度、氣體濃度等參數(shù)的箱體設(shè)備。

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