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[供應]SZ-ST2258C多功能數字式四探針測試儀
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  • SZ-ST2258C多功能數字式四探針測試儀
貨物所在地:
山東濟寧市
產地:
山東
更新時間:
2021-03-05 10:07:27
有效期:
2021年3月5日 -- 2021年9月3日
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產品簡介

SZ-ST2258C型多功能數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。

詳細介紹

SZ-ST2258C型多功能數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。 

 

特點:

主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成。儀器所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校功能;電壓電流全自動轉換量程;測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀特贈設測試結果分類功能,大分類10類。 

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。 

儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。 

 

 

技術參數:

1. 測量范圍、分辨率(括號內為可向下拓展1個數量級) 
    電    阻:10.0×10-6 ~ 200.0×10 Ω,    分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103  Ω 
               (1.0×10-6 ~ 20.00×10 Ω,    分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω) 
    電 阻 率:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω-cm   分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103  Ω-cm 
               (1.0×10-6 ~ 20.00×10Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω-cm) 
    方塊電阻:50.0×10-6 ~ 1.0×10Ω/□    分辨率5.0×10-6 ~ 0.5×10 Ω/□  
               (5.0×10-6 ~ 100.0×10Ω/□  分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×10 Ω/□) 
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式決定) 
    直    徑: SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,手持方式不限 
    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm,手持方式不限. 
     長(高)度:  測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限. 
     測量方位:  軸向、徑向均可 
3. 量程劃分及誤差等級 

滿度顯示

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

常規量程

kΩ-cm/□

kΩ-cm/□

Ω-cm/□

mΩ-cm/□

---

大拓展量程

---

kΩ-cm/□

Ω-cm/□

mΩ-cm/□

mΩ-cm/□

基本誤差

±2%FSB

±4LSB

±1.5%FSB

±4LSB

±0.5%FSB±2LSB

±0.5%FSB

±4LSB

±1.0%FSB

±4LSB

 

4.工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W 
5.外形尺寸: 245mm(長)×220 mm(寬)×95mm(高)  

   凈   重:≤1.5~2.0kg 

 

探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭,也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。 

測試臺選配:一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選SZT-K型測試臺,也可選配SZT-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率,選配SZT-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。

 

 

儀器成套組成:由主機、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。

 

 

 

 

 

 

 

SZ-M-2型手持式數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。

 

SZ-M-2型手持式數字式四探針測試儀具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。

 

 

基本技術參數

1. 測量范圍、分辨率

    電    阻:     0.010 ~ 9999Ω,    分辨率0.001 ~ 1 Ω

    電 阻 率:     0.010~ 2000Ω-cm, 分辨率0.001 ~ 1 Ω-cm

    方塊電阻:     0.050~ 2000Ω/□   分辨率0.001 ~ 1 Ω/□

2. 材料尺寸

   手持方式不限材料尺寸,但加配測試臺則由選配測試臺和測試方式決定

   直    徑:SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm。

   SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。

   長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm。.

   測量方位: 軸向、徑向均可.

3. 量程劃分及誤差等級

量程(Ω-cm/□)

9.999

99.99

999.9

9999.

電阻測試范圍

0.010~9.999

9.99~99.99

99.99~999.9

999.9~9999

電阻率/方阻

0.010/0.050~9.999

9.99~99.99

99.99~999.9

999.9~2000

基本誤差

±1%FSB±2LSB

±2%FSB±2LSB

4) 適配器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電

5) 外形尺寸:W×H×L=18cm×7.5cm×13cm

凈   重:≤0.5kg

 

探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭,也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

 

配ST2253-F01測硅片電阻率

配ST2253-F01測硅片電阻率

 

儀器成套組成:由主機、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測試臺。

主機主要由數控恒流源,高分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成,自動轉換量程。儀器所有參數設定、功能轉換全部采用一旋鈕輸入;具有零位、滿度自校功能;全自動轉換量程;測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電,適合手持式變動場合操作使用!

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