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日本 VAISAIA 維薩拉 K?PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S
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  • 日本 VAISAIA 維薩拉 K?PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S

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貨物所在地: 山東青島市
地: 日本
更新時間: 2025-02-18 09:43:52
期: 2025年2月18日--2025年8月18日
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產品簡介

日本 VAISAIA 維薩拉 K?PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S

詳細介紹

日本 VAISAIA 維薩拉 K?PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S

適用于半導體行業液態化學品測量


該折光儀外形緊湊,流通池采用改良超純 PTFE 制成,適用于半導體液態化學品測量。可通過 ? 至 1 英寸的皮拉 Pillar 或擴口 Flare 連接。

維薩拉 K-PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S 用于晶圓潔凈室里的化學品濃度監測,通常被安裝在混合、清洗、蝕刻和 (CMP) 等機臺上。

PR-33-S 包含改良超純 PTFE 流通池和以太網線,任何標準的以太網供電 (PoE) 開關均可通過以太網線向傳感器供電,并將數據傳輸給計算機。PR-33-S 實時監控化學品濃度,并立即通過以太網信號輸出,當化學品濃度超出規定范圍時,可通過配置過低濃度和過高濃度警報來控制和延長使用周期。該儀器通過光學原理測量溶液的折射率 nD 和溫度,從而獲得溶液濃度。

PR-33-S 直接通過柱形或喇叭形配件串接來進行安裝,而且結構緊湊,不含金屬,占地面積小。

關鍵要素:

  • N.I.S.T. 標準下的可追溯校準及驗證,采用標準折射率液體和驗證程序進行驗證。

  • *光學核心設計。 

  • 通過以太網進行數據記錄和遠程界面操作。

  • 標準 UDP/IP 通信。

  • 過程溫度范圍:-20°C – 85°C (-4°F – 185°F)。

  • 內置 Pt1000 快速溫度測量及自動溫度補償 

  • 全數字化設備
    維薩拉 K?PATENTS® 半導體行業用折光儀 PR-33-S 用于過程監控,可提供連續的以太網輸出信號,設計緊湊,可直接串接在過程管路上。
  • 滿量程下保持精確穩定測量
    折光率測量范圍 nD 1.3200–1.5300,相當于 0-100%(重量百分比)。對于高濃度 HF,可選范圍為 nD 1.2600–1.4700。標稱準確度為 R.I.+ 0.0002,通常相當于 0.1%(按重量百分比計),例如,鹽酸濃度。

    測量不受顆粒、氣泡、紊流及 PPM 濃度級別微量雜質影響。
  • 易于維護
    *光學核心設計。
    無漂移。無需重新校準。無需進行機械調節


RENISHAW TP20 

TAITEC SR-2ES 

TAITEC HE-5 for SR-2 

TAITEC B for SR-2 

HORIBA 6108-50B 

NIKON CFI TU PLAN APO EPI 50X 

DAIICHI PMK-60C 

ShinEtsu ST-15DG(0.5) 1M 

ShinEtsu ST-40DG(1.0) 1M 

MORIMITSU HSLD-0130 

CHINO PT100 

DENTSU-SANGYO RFL25/600ABX-DF 

HAKKO A1573 

SOLAR #205 


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