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為高穿透性帶電粒子設計的 比普通硅探測器更好的停止功率:高達3 MeV Betas,30 MeV質子,140 MeV Alpas 如果探測器被堆放的話 用于de/dx測量或堆棧安排的薄后接觸(傳輸選項) 室溫或LN設計2冷卻應用

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